トランジスタMP39の主な技術(shù)の特徴:
トランジスタ構(gòu)造: pnp
Рк max - 一定のコレクタ消費(fèi)電力: 150 mW。
fh21b - エミッタ共通およびベース共通の回路のトランジスタ電流伝達(dá)係數(shù)の制限周波數(shù): 最小 0.5 MHz。
Uker サンプル - ベース-エミッタ回路における応用のコレクタ電流および応用の(最終)抵抗におけるコレクタ-エミッタの降電圧: 15 V。
ウエボ サンプル - エミッタおよびオープンコレクタ回路の特殊の逆電流におけるエミッタ - ベース間の破壊電圧: 10 V。
Iк max - 最大許容コレクタ電流: 30 mA。
Ik および max - コレクタの最大許容サージ電流: 150 mA。
Ikbo - コレクタ逆電流 - 応用のコレクタ - ベース電圧およびオープンエミッタ出力でコレクタ接合を流れる逆電流: 15 μA 以下。
h21e - エミッタ共通およびベース共通の回路小さな信號(hào)モードでのトランジスタ電流伝達(dá)の靜的係數(shù): 12。
SK-コレクタ接合容量:50pF以下。
К - トランジスタの音雑指數(shù): 1 kHz の周波數(shù)で 12 dB 以下
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トランジスタMP39の主な技術(shù)的特徴:
トランジスタ構(gòu)造: pnp
Рк max - 定常コレクタ電力消費(fèi):150 mW
fh21b - 共通エミッタと共通ベースを持つ回路のトランジスタ電流伝達(dá)係數(shù)の限界周波數(shù):少なくとも 0.5 MHz。
Uker サンプル - 特定のコレクタ電流とベース-エミッタ回路內(nèi)の特定の (最終) 抵抗におけるコレクタ-エミッタのブレークダウン電圧: 15 V。
Uebo サンプル - エミッタとオープン コレクタ回路の所定の逆電流におけるエミッタベースのブレークダウン電圧: 10 V。
Iк max - 最大許容定コレクタ電流: 30 mA;
Ik および max - コレクターの最大許容サージ電流: 150 mA;
Ikbo - コレクタ逆電流 - 所定の逆コレクタベース電圧およびオープンエミッタ出力でコレクタ接合部を流れる電流:15 μA 以下。
h21e - 共通エミッタと共通ベースを持つ回路の小信號(hào)モードでのトランジスタ電流伝達(dá)の靜的係數(shù):それぞれ12。
SK - コレクタ接合容量:50 pF以下
Кш - トランジスタの雑音指數(shù): 周波數(shù) 1 kHz で 12 dB 以下