【高出力】
65Wの出力により、さまざまなデバイスを迅速に充電できます。

【多様なポート】
USB-C×2とUSB-Aのポートを搭載しており、異なるデバイスに対応可能です。

【GaN半導(dǎo)體技術(shù)】
窒化ガリウム（GaN）は、特に高効率パワー?トランジスタや集積回路において、半導(dǎo)體の世界で革命的な存在となっています。この窒化ガリウム技術(shù)は下記のように機(jī)能します。

2DEGの生成：GaN結(jié)晶の上に窒化アルミニウム?ガリウム（AlGaN）の薄い層を成長(zhǎng)させることによって、界面に歪みが生じ、補(bǔ)償?shù)膜?次元電子ガス（2DEG）が誘発されます。この2DEGは、電界が印加されたときに電子を効率的に伝導(dǎo)するために使われます。

高効率な伝導(dǎo)：この2DEGは、界面の非常に狹い領(lǐng)域に電子が閉じ込められるため、非常に伝導(dǎo)性があります。この閉じ込めによって、電子の移動(dòng)度は、歪みのないGaNの約1000 cm2/Vsから、2DEG領(lǐng)域では1500～2000 cm2/Vsに増加します。

優(yōu)れた性能：窒化ガリウムの高い伝導(dǎo)性によって、同等のシリコン?ソリューションよりも高い破壊強(qiáng)度、より速いスイッチング速度、より高い熱伝導(dǎo)性、より低いオン抵抗を特徴とするトランジスタと集積回路が形成できます。

【安全性】
急速充電を?qū)g現(xiàn)しつつ、機(jī)器を損なうことなく安全に使用できます。

- 出力: 65W
- ポートタイプ: USB-C, USB-A
- PD対応: 対応
- 急速充電: 可能
- デバイス互換性: 異なるデバイスに対応

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