10個(gè)セットの価格です?。ǎ?50/個(gè)）
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MOSFETトランジスタ　2SJ607-AZ


【特性】
?チャンネルタイプ：P
?最大連続ドレイン電流：332 A
?最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
?パッケージタイプ：TO-220
?実裝タイプ：表面実裝
?ピン數(shù)：3
?最大ドレイン-ソース間抵抗：16 mΩ
?チャンネルモード：エンハンスメント型
?最大ゲートしきい値電圧：2.5V
?最大パワー消費(fèi)：160 W
?トランジスタ構(gòu)成：シングル
?最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
?1チップ當(dāng)たりのエレメント數(shù)：1
?幅：8.5mm
?標(biāo)準(zhǔn)ゲートチャージ @ Vgs：188 nC @ 10 V
?高さ：4.8mm
?動(dòng)作溫度：Max+150 °C
?長さ：10mm
?トランジスタ素材：Si


【特長】
?直接大電力制御が可能
?高速スイッチング、低オン抵抗、並列動(dòng)作の容易
?スイッチング速度がバイポーラトランジスタの1/10?1/100であり、スイッチング損失を提言可能
?オン時(shí)には抵抗特性となるため、小電流域においては、バイポーラトランジスタより低損失化が可能
?オン抵抗の正の溫度計(jì)數(shù)特性により並列動(dòng)作が容易
?電圧/電流の値は、ほぼ定格電力（一定）の範(fàn)囲で許容



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